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單晶矽片
規格:3寸至4寸單晶矽N型輕摻矽片,3寸至4寸單晶矽N/P型重摻矽片

通過摻磷或摻硼,采用MCZ工藝,生產尺寸為3寸、4寸,電阻0.003-55Ω.cm,厚度200-350um等不同N型單晶矽片或P型單晶矽片,並可根據客戶要求生產定位邊單晶矽片,倒角單晶矽片,N型單晶矽片,P型單晶矽片等,電阻率和厚度根據客戶要求生產。

3寸單晶矽N型輕摻矽片

3-inch mono crystal silicon N-type light doped wafer

電阻率Ω·CM

厚度μm

晶向

壽命μs

外徑mm

摻雜劑

形態

電阻率徑向不均勻性

線切片

研磨片

倒角片

定位片

5-10

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

10-15

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

15-20

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

20-25

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

25-30

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

30-35

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

35-40

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

40-45

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

45-50

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

50-55

200-350

<111>

100

76.2±0.3

20%

4寸單晶矽N型輕摻矽片

4-inch mono crystal silicon N-type light doped wafer

電阻率Ω·CM

厚度μm

晶向

壽命μs

外徑mm

摻雜劑

形態

電阻率徑向不均勻性

線切片

研磨片

倒角片

定位片

5-10

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

10-15

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

15-20

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

20-25

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

25-30

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

30-35

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

35-40

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

40-45

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

45-50

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

50-55

200-350

<111>

100

101.6±0.3

20%

3寸單晶矽重摻矽片

3-inch mono crystal silicon heavy doped wafer

電阻率Ω·CM

厚度μm

晶向

型號

外徑mm

摻雜劑

形態

電阻率徑向不均勻性

線切片

研磨片

倒角片

定位片

0.003-0.005

200-350

<111>

N/P

76.2±0.3

/

/

/

0.005-0.008

200-350

<111>

N/P

76.2±0.3

/

/

/

0.02-0.03

200-350

<111>

N/P

76.2±0.3

/

/

/

4寸單晶矽重摻矽片

4 inch monocrystal silicon heavy doped wafer

電阻率Ω·CM

厚度μm

晶向

型號

外徑mm

摻雜劑

形態

電阻率徑向不均勻性

線切片

研磨片

倒角片

定位片

0.003-0.005

200-350

<111>

N/P

101.6±0.3

/

/

/

0.005-0.008

200-350

<111>

N/P

101.6±0.3

/

/

/

0.02-0.03

200-350

<111>

N/P

101.6±0.3

/

/

/