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EPI芯片(外延芯片)

采用外延片為載體,進行擴散、玻璃鈍化,得到特殊產品特性,TRR波形振蕩較小,應用上幹擾較小。

外延片是指用外延工藝在襯底表面生長薄膜所生片的單晶矽片。采用外延片為載體,進行擴散、玻璃鈍化,得到特殊產品特性,TRR波形振蕩較小,應用上幹擾較小。

可以滿足客戶在高溫、高濕、強電場等惡劣條件下長時間工作需求。


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EPI芯片參數配置表



參數配置表

Dimension
Part number

A

B

C

D

Limits ±12

Limits ±2

Limits ±3

Limits ±1

1A

50

12

27

2

2~4A

64

12

41

2

3~6A

72

12

49

2

5~8A

84

12

61

2

8~10A

95

12

72

2


Parameter

Symbol

SF50

SF64

SF72

SF84

SF95

Unit

Peak Inverse V

PIV

100 ~ 800

Volts

Forward Current

IF

1

3

5

8

10

Amps

Forward Volts

VF

PIV200V VF spec. 0.9

PIV400V VF spec. 1.25

PIV600V VF spec. 1.7

PIV800V VF spec. 2.2

Volts

Reverse recovery time

TRR

20~35

ns

Surge Current

IFSM

30

100

125

Amp/8.3ms

Leakage at 100℃

IRFM

400

uA

Junction Temp

TJ,MAX

150

Degrees ℃

Leakage 25℃

IRFM

10.0

uA

Storage Temp

TST

-65 ------- 150

Degrees ℃

Die Attach Temp

TD

340~375

Degrees ℃/2 min

TRR波形振蕩較小(應用上幹擾較小)

本公司提供PG光刻制程,可根據客制要求電性特性;
低溫升產品;
大功率產品;
白/黃金擴散產品。